特許

J-GLOBAL ID：200903067868133867

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 岡田 直子 ,  近藤 真人 ,  穴山 親志 ,  堂免 恵 ,  古谷 章
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053656
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268322
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、極めて簡単な手段を採ることで、活性層中或いは劈開面に非発光再結合中心が生成されることを抑制し、発光効率及びCODレベルを向上させようとする。【構成】 n-GaInP基板上にn-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層22及びSe,S,Teなど六族元素がドーピングされたn-Ga0.5In0.5 P活性層23及びp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層24が順に積層成長されてなるダブル・ヘテロ構造を備えている。

請求項（抜粋）：

n-AlGaInPクラッド層及びp-AlGaInPクラッド層に挟まれ且つ六族元素がドーピングされてなるGaInP或いはAlGaInP活性層から構成されたダブル・ヘテロ構造を備えてなることを特徴とする半導体レーザ。