特許

J-GLOBAL ID：200903067869238603

シリコンウエーハ中の金属不純物濃度評価方法

発明者： 水野 亨彦
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-016517
公開番号（公開出願番号）：特開2001-208743
出願日： 2000年01月26日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 シリコンバルク中の金属を感度良く評価するには、分析装置自体の感度を向上させる他に、いかにシリコン内部に含まれている金属を表面に抽出し、それを回収するかが問題であった。【解決手段】 シリコンウエーハ中の金属不純物を評価する方法において、シリコンウエーハ表面に濃硫酸を滴下し、シリコンウエーハ内部に固溶している金属不純物を該濃硫酸中に抽出し、該濃硫酸中の金属不純物を化学分析する事を特徴とするシリコンウエーハ中の金属不純物濃度評価方法である。

請求項（抜粋）：

シリコンウエーハ中の金属不純物を評価する方法において、シリコンウエーハ表面に濃硫酸を滴下し、シリコンウエーハ内部に固溶している金属不純物を該濃硫酸中に抽出し、該濃硫酸中の金属不純物を化学分析する事を特徴とするシリコンウエーハ中の金属不純物濃度評価方法。

IPC (4件)：

G01N 33/00 ,  G01N 1/28 ,  G01N 21/31 610 ,  G01N 27/62

FI (4件)：

G01N 33/00 A ,  G01N 21/31 610 A ,  G01N 27/62 V ,  G01N 1/28 X

Fターム (7件)：

2G059AA01 ,  2G059BB16 ,  2G059CC03 ,  2G059DD01 ,  2G059DD03 ,  2G059DD16 ,  2G059EE01