特許
J-GLOBAL ID：200903067872901070
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276283
公開番号（公開出願番号）：特開平6-131873
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体記憶装置に関し、高速に情報を読み出す半導体記憶装置を提供することを目的としている。【構成】 マトリクス状に配線される複数のワード線及びビット線の交点に対応して形成するメモリセルCを、アレイ状に複数配置してなるメモリセルアレイ11を有し、該メモリセルアレイ11に記憶された情報を読み出す第一読出手段21を該メモリセルアレイ11の所定の一辺に対応して形成する半導体記憶回路において、前記第一読出手段21の形成される前記メモリセルアレイ11の所定の一辺と垂直方向の他辺に対応して第二読出手段24を形成し、該第一読出手段21及び該第二読出手段24によって該メモリセルアレイ11中の所定情報を読み出すように構成する。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配線される複数のワード線及びビット線の交点に対応して形成するメモリセルを、アレイ状に複数配置してなるメモリセルアレイを有し、該メモリセルアレイに記憶された情報を読み出す第一読出手段を該メモリセルアレイの所定の一辺に対応して形成する半導体記憶回路において、前記第一読出手段の形成される前記メモリセルアレイの所定の一辺と垂直方向の他辺に対応して第二読出手段を形成し、該第一読出手段及び該第二読出手段によって該メモリセルアレイ中の所定情報を読み出すことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 345
, G11C 11/34 362 B
