特許

J-GLOBAL ID：200903067887080693

半導体素子、半導体装置、および半導体装置の検査方法

発明者： 福田 由美 ,  森 三樹 ,  木崎 幸男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165783
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012670
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 絶縁基板上のアルミニウム配線パターンにバンプ電極を介して良好に接続される半導体素子を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に形成された配線パターンにバンプを介して電気的、機械的に接続される半導体素子である。前記バンプは、導電性材料からなる第1の層と、前記第1の層の上に形成されたAu4 Alからなる第2の層と、前記第2の層の上に形成され、前記配線パターンとの固相拡散反応により金属間化合物を生じるためのAuからなる第3の層とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された配線パターンにバンプを介して電気的、機械的に接続される半導体素子において、前記バンプは、導電性材料からなる第1の層と、前記第1の層の上に形成されたAu4 Alからなる第2の層と、前記第2の層の上に形成され、前記配線パターンとの固相拡散反応により金属間化合物を生じるためのAuからなる第3の層とを有することを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/321

FI (6件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 321 Y ,  H01L 21/60 321 Z ,  H01L 21/66 R ,  H01L 21/92 602 D