特許
J-GLOBAL ID：200903067887172989
強磁性トンネル接合素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170192
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357829
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 磁気ヘッドや固体磁気メモリ(MRAM)に必要な高MR比を実現すると同時に、接合抵抗を自由に調節可能な強磁性トンネル接合素子を得る。【解決手段】 第一の強磁性体層11を成膜した後に、0.3nm以上1nm未満の厚さの導電層12を成膜し酸化して酸化導電層13を形成し、その後に再度導電層14を成膜し酸化するというように、成膜・酸化の工程を二度以上繰り返してトンネルバリア層15を作成する。接合界面に、強磁性体の酸化物や未酸化のAlがない高品質のトンネルバリア層が形成され、高いMR比が得られる。
請求項（抜粋）：
第一の強磁性体層と第二の強磁性体層との間にトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合素子の製造方法であって、トンネルバリア層を、金属または半導体からなる導電層を成膜した後に酸化するという工程を二度以上繰り返す、強磁性トンネル接合素子の製造方法において、前記導電層を第一回目に成膜するときの膜厚を、0.3nm以上で1nm未満としたことを特徴とする、強磁性トンネル接合素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
