特許

J-GLOBAL ID：200903067887726054

光記憶装置およびその製法

発明者： 鮫島 克己
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219218
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069464
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 光情報を不揮発性メモリに記憶させ、読み出しても、電源をOFFにしても消去しない光記憶セルを簡単な構成で形成する。【構成】 ガラス板などの透明基板16に電極膜2a、17と光導電セル2が形成され、半導体基板11に形成されたメモリトランジスタのゲートまたはソース電極の電極膜4a、6aと前記光導電セルの一方の電極膜17とが貼着されてメモリセルに光導電セルが接続された光記憶装置1が構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたフラッシュメモリセルと、透明基板上に形成された光導電セルとからなり、前記半導体基板に形成されたフラッシュメモリセル側の表面と前記透明基板の光導電セル側の面とが電極膜を介して貼着されていることを特徴とする光記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 ,  G11C 17/02 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/42

FI (4件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 320 A ,  H01L 29/78 371 ,  G11C 13/08