特許
J-GLOBAL ID：200903067893952279
短波長発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085282
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284282
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 青色領域や緑色領域のレーザービームを、効率良く高出力で発生可能な短波長発光素子を得る。【解決手段】 立方晶のGaNまたはGaNAs基板1を用い、活性層4をInx3Ga1-x3N1-y3Asy3量子井戸とし、そしてクラッド層2、6および光導波層5を、基板1に格子整合する、NとAsの両方を含むGaAlNAs系、あるいはGaAlNAs/GaNAs超格子とする。
請求項（抜粋）：
立方晶のGaNまたはGaNAs基板と、基板に格子整合するGa1-z1Alz1N1-y1Asy1またはGa1-z1Alz1N1-y1Asy1/GaN1-y1Asy1超格子からなるクラッド層と、基板に格子整合するGa1-z2Alz2N1-y2Asy2またはGa1-z2Alz2N1-y2Asy2/GaN1-y2Asy2超格子からなる光導波層と、Inx3Ga1-x3N1-y3Asy3量子井戸活性層とからなる短波長発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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