特許
J-GLOBAL ID：200903067894630461
薄膜コンデンサ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071968
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273978
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】静電容量値が均等で絶縁抵抗、破壊電圧が高い薄膜コンデンサを提供する。【構成】セラミックス材料から成る絶縁基体3上に第1薄膜電極層5、誘電体薄膜層6、第2薄膜電極層7を順次被着させて形成される薄膜コンデンサ2であって、前記第1薄膜電極層5と誘電体薄膜層6との間に樹脂絶縁層8を介在させた。
請求項（抜粋）：
セラミックス材料から成る絶縁基体上に第1薄膜電極層、誘電体薄膜層、第2薄膜電極層を順次被着させて形成される薄膜コンデンサであって、前記第1薄膜電極層と誘電体薄膜層との間に樹脂絶縁層を介在させたことを特徴とする薄膜コンデンサ。
引用特許：
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