特許

J-GLOBAL ID：200903067900337518

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 平賀 啓三
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272734
公開番号（公開出願番号）：特開平11-110977
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】ISPP等の高速プログラミング法で、データの書き込み等の動作の速いメモリセルと遅いメモリセルが存在しても、高速にしきい値電圧の変更(電荷蓄積層の電荷量調整)を行い、書き込み等の処理速度を向上させる。【解決手段】 当該、不揮発性半導体記憶装置は、複数の電圧レベルV1 〜V4 を有する書き込み信号Vpgm (又は消去信号)の制御電極への印加に応じて、制御電極下方の電荷蓄積層に対して電荷の授受が行われ、当該電荷蓄積層の蓄積電荷量に応じて情報を記憶する記憶素子(例えば、メモリトランジスタ)を有する。書き込み信号Vpgm (又は消去信号)を、その電圧レベルV1 〜V5 が所定の時間おきに漸増し、かつ少なくともある時間領域で当該電圧レベルの増加幅ΔV2 〜ΔV4 が大きくなるように制御をしながら出力するレベル調整回路を有する。

請求項（抜粋）：

複数の電圧レベルを有する書き込み又は消去信号の制御電極への印加に応じて、制御電極下方の電荷蓄積層に対して電荷の授受が行われ、当該電荷蓄積層の蓄積電荷量に応じて情報を記憶する記憶素子を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記書き込み又は消去信号を、その電圧レベルが所定の時間おきに漸増し、かつ少なくともある時間領域において当該電圧レベルの増加幅が大きくなるように電圧レベルを制御をしながら出力するレベル調整回路を有する不揮発性半導体記憶装置。