特許
J-GLOBAL ID：200903067915828526
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030118
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244115
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】ヘテロエピタキシに関し、成長層の結晶性を向上させるために導入する歪薄膜層を制御性良く且つ簡便に形成する。【構成】半導体基板1上に格子定数の異なる他の半導体層2a,2b,4,6,8を積層するに際し、歪薄膜層3,5,7は半導体層2b,4,6上に成長原料ガスの一部のみを供給することにより形成する。【効果】歪薄膜層の膜厚及び組成が、歪薄膜層を結晶成長で形成する場合と比較して正確に制御でき歪薄膜層の効果が安定に再現できる。
請求項（抜粋）：
第一の格子定数を有する第一の半導体層と、第二の格子定数を有する第二の半導体層と、前記第一の半導体層および前記第二の半導体層の間に配設された転位低減領域とを有し、前記転位低減領域には成長用原料ガスの一部のみを用いて形成された単層の歪薄膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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