薄膜バルクアコースティック共振器(FBARs)素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381108
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347884
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】複数の直列共振器及び並列共振器を含む梯子(ladder)型のフィルタに適用でされ、相異する共振周波数を実現できる薄膜バルクアコースティック共振器(FBARs)素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板310と、基板上に形成された絶縁層320と、絶縁層上に形成され複数のエアギャップを含むメンブレン支持層340と、メンブレン支持層上に形成され、前記エアギャップとオーバーラップされる部分に形成された複数の活性領域を含むメンブレン層350と、活性領域夫々の上に形成された複数の下部電極110、210と、下部電極夫々の上に形成された複数の圧電層120、220と、圧電層夫々の上に形成された複数の上部電極130、230とを具備し、前記メンブレン層の活性領域の厚さを調節することで直列共振器及び並列共振器の中心周波数を制御できる。

請求項（抜粋）：

複数の直列共振器100及び並列共振器200を含む梯子(ladder)型フィルタに適用されるFBAR素子において、基板310と、前記基板310上に形成された絶縁層320と、前記絶縁層320上に形成され複数のエアギャップ335を含むメンブレン支持層340と、前記メンブレン支持層340上に形成され、前記エアギャップとオーバーラップされる部分に形成された複数の活性領域を含むメンブレン層350と、前記活性領域夫々の上に形成された複数の下部電極110、210と、前記下部電極110、210夫々の上に形成された複数の圧電層120、220と、前記圧電層120、220夫々の上に形成された複数の上部電極130、230とを具備し、前記複数の活性領域中フィルタの直列共振器に対応するメンブレン層活性領域の厚さは並列共振器に対応するメンブレン層活性領域の厚さと相異することを特徴とするFBAR素子。

IPC (9件)：

H03H 9/17 , H01L 41/08 , H01L 41/09 , H01L 41/18 , H01L 41/22 , H03H 3/02 , H03H 3/04 , H03H 9/54 , H03H 9/58

FI (10件)：

H03H 9/17 F , H03H 3/02 B , H03H 3/04 B , H03H 9/54 Z , H03H 9/58 A , H01L 41/08 U , H01L 41/08 J , H01L 41/22 Z , H01L 41/18 101 Z , H01L 41/08 D

Fターム (8件)：

5J108CC11 , 5J108HH04 , 5J108JJ01 , 5J108KK05 , 5J108KK07 , 5J108MM11 , 5J108NA04 , 5J108NB03

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-098311
特開平1-157108
特開平1-098311

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