特許

J-GLOBAL ID：200903067920326954

容量結合高周波プラズマ誘電体エッチングチャンバにおけるアドバンスドパターニングフィルムを用いたエッチング方法

発明者： ジュディー ワン ,  シンリ サン ,  シャウニン マー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-182120
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021605
出願日： 2008年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム(APF)を用いてウェハをエッチングする方法である。【解決手段】APF層を有するウェハを約162MHzで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、162MHz電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。処理ガスは水素ガス(H2)、窒素ガス(N2)、及び一酸化炭素ガス(CO)を含む。H2:N2の比は約1:1である。加えて、ウェハ温度を調節してエッチング特性を改善する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

アドバンスドパターンフィルム(APF)をエッチングする方法であり、 APF層を含むウェハを約162MHzで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、 水素ガス(H2)と、窒素ガス(N2)と、一酸化炭素ガス(CO)を含み、H2:N2の比が約1:1である処理ガスを前記チャンバに供給し、 前記162MHz電源を用いてソース電力を印加し、 バイアス電力を前記ウェハに印加することを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/302 101B ,  H01L21/88 D

Fターム (36件)：

5F004AA04 ,  5F004AA05 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ28 ,  5F033RR00 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033WW10 ,  5F033XX04