特許
J-GLOBAL ID：200903067931992468
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143537
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315623
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、メモリセルの縮小化が可能であるとともに、ソース抵抗を低減することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 半導体基板1上に形成されたソース拡散層3及びドレイン拡散層2と、積層構造で絶縁された浮遊ゲート6、制御ゲート7とを備えたメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記積層構造で絶縁された浮遊ゲート及び制御ゲートの側壁部に対向して形成された側壁絶縁膜9と、前記ソース拡散層と前記対向して形成された側壁絶縁膜、及び前記ドレイン拡散層と前記対向して形成された側壁絶縁膜に各々直接被覆した導電膜11とを具備し、且つ前記ソース拡散層上の導電膜11をこのソース拡散層と平行に配置する。側壁絶縁膜9により、浮遊ゲート、制御ゲートに対しある所定の間隔を持った設計マージンを確保でき、またソース拡散層上の導電膜11によりソース抵抗の上昇を抑える。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたソース拡散層及びドレイン拡散層と、積層構造で絶縁された浮遊ゲート及び制御ゲートとを備えたメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記積層構造で絶縁された浮遊ゲート及び制御ゲートの側壁部に対向して形成された側壁絶縁膜と、前記ソース拡散層と前記対向して形成された側壁絶縁膜、及び前記ドレイン拡散層と前記対向して形成された側壁絶縁膜に各々直接被覆した導電膜とを具備し、且つ前記ソース拡散層上の導電膜をこのソース拡散層と平行に配置したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
