特許
J-GLOBAL ID:200903067938895158

不揮発性半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-302254
公開番号(公開出願番号):特開平6-150678
出願日: 1992年11月12日
公開日(公表日): 1994年05月31日
要約:
【要約】【目的】 フラッシュメモリ領域を一括消去及び書込みを行う複数の複合ブロックに区分し、必要個所のみを選択的に一括消去し、またここに書込みを可能とする。【構成】 フラッシュメモリ領域1を複数の単位ブロックメモリUB0 〜UB7 に区分し、夫々に一括消去/書込みを切り換えるスイッチSW0 〜SW7 を設け、また前記単位ブロックメモリUB0 〜UB7 の少なくとも1つを含む一括消去及び書込みの単位を構成する複合ブロック0〜3を定め、複合ブロック0〜3から選定した消去対象とする複合ブロックを構成する各単位ブロックに属するスイッチを切換え操作することで、複合ブロック単位で一括消去及び書込みを可能とする。
請求項(抜粋):
電気的一括消去及び書込み可能な不揮発性メモリで構成される複数分割された単位ブロックメモリと、各単位ブロックメモリ毎に設けた切り換え可能なスイッチと、少なくとも一つの単位ブロックメモリを有する複合ブロックを選定するブロック選択レジスタと、消去対象となる複合ブロックを指定する消去ブロック指定レジスタとを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件):
G11C 16/06 ,  G06F 12/06 530

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