特許
J-GLOBAL ID：200903067939917279
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304681
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145074
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 低温プロセスでの製造が可能であり、量産性に優れ、しかも絶縁膜不良が極めて少ない薄膜トランジスタを得る。【構成】 基板上に形成された半導体薄膜からなるチャネル部およびソース・ドレイン部と、該半導体薄膜上に形成されたゲート絶縁膜とゲート電極とを順に有する薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜をアルキルシラン化合物と酸素を含むガスとの反応によって形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体薄膜からなるチャネル部およびソース・ドレイン部と、前記半導体薄膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜がアルキルシラン化合物と酸素を含むガスとの反応によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, C30B 25/14
, H01L 21/316
