特許

J-GLOBAL ID：200903067952143860

半導体記憶装置及びその駆動方法

発明者： 井上 大介
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-365017
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170937
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 磁性体を磁化させることで情報を記録保持し、ホール効果を利用して記録された情報を再生する磁気メモリ、及び該磁気メモリに対して情報の書き込み/読み出しを行うための駆動方法を提供する。【解決手段】 メモリセルが備えるMOSトランジスタのソースまたはドレインを2つの領域に分割し、該2つの領域に接続される2本のデータ線、及び該2本のデータ線を情報の書き込み時に短絡させるためのスイッチをそれぞれ設け、情報の書き込み時にMOSトランジスタのチャネル領域に流れる書き込み電流により、記録する情報に応じた方向に磁性体を磁化させ、情報の読み出し時に2本のデータ線に流れる読み出し電流をそれぞれ検出し、該2本のデータ線に流れる読み出し電流の大小関係から前記磁性体に記録された情報を再生する。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルがマトリクス状に配置された半導体記憶装置であって、前記メモリセルに、ソースまたはドレインのいずれか一方が2つの領域に分割されたMOSトランジスタと、該MOSトランジスタのチャネル領域に磁界が印加可能な位置に配置され、磁化方向によって情報を記録保持する磁性体と、を備え、前記2つの領域に接続される、前記磁性体を磁化するための書き込み電流、及び前記磁性体に記録された情報を再生するための読み出し電流が流れるデータ線と、前記2つの領域に接続された2本のデータ線を情報の書き込み時に短絡させるためのスイッチと、記録する情報に応じた方向に前記磁性体を磁化させるための前記書き込み電流を、前記データ線を介して前記MOSトランジスタのチャネル領域に供給する書き込み電流供給部と、前記2本のデータ線に流れる前記読み出し電流をそれぞれ検出し、該2本のデータ線に流れる読み出し電流の大小関係から前記磁性体に記録された情報を再生するセンスアンプ部と、を有する半導体記憶装置。

IPC (7件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 43/06

FI (6件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/06 S ,  H01L 43/06 A ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 29/78 371

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083LA03 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F101BA68