特許
J-GLOBAL ID：200903067953207063
化合物半導体単結晶の育成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250925
公開番号（公開出願番号）：特開平8-151290
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【課題】 ドーパントの濃度が所望の濃度に精度よく制御された、高品質の化合物半導体単結晶を効率よく製造することのできる、化合物半導体単結晶の育成方法を提供する。【解決手段】 るつぼ8内に、化合物原料14、ドーパント13、封止剤15および添加剤51を収容する際に、ドーパント13を化合物原料14を介して、封止剤15と分離配置した後、るつぼ8を加熱して、封止剤15と添加剤51とを接触させ、反応物を含む溶融状態の封止剤を形成し、次に、反応物を含む溶融状態の封止剤により、その表面が封止された、原料融液を形成し、しかる後に、種結晶10を用いて、ドーパント13がドープされた化合物半導体単結晶を育成する。
請求項（抜粋）：
るつぼ内に、第1の融点を有する化合物原料と、前記化合物原料にドープするためのドーパントと、前記化合物原料を介して前記ドーパントと分離するように配置された前記第1の融点よりも低い第2の融点を有する封止剤と、前記化合物原料を介して前記ドーパントと分離するように配置された前記ドーパントと同一材料からなる添加剤とを収容する工程と、前記化合物原料、ドーパント、封止剤および添加剤が収容された前記るつぼを、前記第2の融点以上前記第1の融点未満の温度に加熱して、前記封止剤を溶融させて、前記化合物原料を介して前記溶融した封止剤を前記ドーパントと分離した状態を保持しつつ、前記溶融した封止剤と前記添加剤とを接触させて反応させることにより反応物を生成させて、前記反応物を含む溶融状態の封止剤を形成するステップと、前記るつぼを、前記第1の融点以上の温度にさらに加熱して、前記化合物原料を溶融させて、前記反応物を含む溶融状態の封止剤によりその表面が封止された、前記化合物原料と前記ドーパントとを含む原料融液を作製するステップと、前記原料融液から、種結晶を用いて前記ドーパントがドープされた化合物半導体単結晶を育成する工程とを備える、化合物半導体単結晶の育成方法。
IPC (4件)：
C30B 15/04
, C30B 27/02
, C30B 29/42
, H01L 21/208
