特許
J-GLOBAL ID:200903067953763063

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-000305
公開番号(公開出願番号):特開平10-199925
出願日: 1997年01月06日
公開日(公表日): 1998年07月31日
要約:
【要約】【課題】 ボンディングパッドを有する半導体装置において、ボンディングパッドへの導線のボンディング時におけるパッドへの機械的圧力及び超音波による衝撃によって、ボンディングパッドの下層の絶縁層にクラックが生じるおそれのないものを得る。【解決手段】 半導体基板1上の絶縁層3、4上にボンディングパッド5が形成されてなる半導体装置において、絶縁層3、4中に高硬度の構造物7が埋設されてなるものである。
請求項(抜粋):
半導体基板上の絶縁層上にボンディングパッドが形成されてなる半導体装置において、上記絶縁層中に高硬度の構造物が埋設されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205
FI (2件):
H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 T

前のページに戻る