導電路又は電極、およびそれらの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-193266
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039791
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】簡便で、製造効率が高く、解像度や位置精度の高い導電路や電極の形成方法を提供する。【解決手段】支持体上に、平均粒径が50nm以下の金属微粒子を含有し、微粒子間が有機物により隔離された状態である金属微粒子含有層をアブレーションさせることで目的形状様にパターニングした後、加熱することにより金属微粒子を熱融着させることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

支持体上に、平均粒径が50nm以下の金属微粒子を含有し、微粒子間が有機物により隔離された状態である金属微粒子含有層をアブレーションさせることで目的形状様にパターニングした後、加熱することにより金属微粒子を熱融着させることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (2件)：

H01L21/288 Z , H01L29/78 616K

Fターム (20件)：

4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104DD62 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104GG20 , 4M104HH20 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110GG05 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK10 , 5F110HK31 , 5F110QQ03 , 5F110QQ04

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-089544
薄膜アブレーション加工方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-364983 出願人：財団法人レーザー技術総合研究所, 東洋精密工業株式会社

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