特許
J-GLOBAL ID：200903067960669420
放電プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-019374
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230987
出願日： 1994年02月16日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】誘導結合型プラズマ処理装置において、基板表面上に均一なプラズマを形成して高均一処理を実施できるようにすること。【構成】基板電極と凸状対向電極との距離及び基板の半径と凸状対向電極の半径との差が互いにほぼ等しくなるように対向電極を基板電極に向かって凸状に構成すること。
請求項（抜粋）：
誘電体隔壁を通して真空チャンバー内に高周波電力を導入してプラズマを生成させるアンテナを備え、被処理物を処理するために高周波バイアスを印加できる機構を備え、真空チャンバー内でプラズマを利用して被処理物を処理するようにした放電プラズマ処理装置において、被処理物の載置される高周波電力印加電極と対向して設けた対向電極を高周波電力印加電極に向って凸状に構成し、高周波電力印加電極と対向電極との距離を、被処理物の半径と凸状に構成した対向電極の半径との関係に基づいて設定したことを特徴とする放電プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, H05H 1/46
