特許
J-GLOBAL ID：200903067960817926
露光用マスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-165094
公開番号（公開出願番号）：特開平9-015831
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 透明基板上に位相シフト膜を均一性良く形成することができ、位相シフト膜による位相制御性の向上に寄与できる。【構成】 Siからなるターゲット102と透明基板104とが対向配置されるチャンバ101内にArガスとN2 ガスを導入する機構と、ターゲット102と透明基板104との間に電界を印加する電源106と、ターゲット102と透明基板104との間を選択的に遮蔽するシャッタ105とを備えたスパッタリング装置を用い、透明基板104上にターゲット材料と反応ガスとの反応生成物からなる位相シフト膜を成膜する工程と、位相シフト膜を所望パターンにパターニングする工程とを有する露光用マスクの製造方法において、スパッタリング装置による位相シフト膜の成膜初期に、シャッタ105を閉じてスパッタ粒子の基板104への飛程を遮る。
請求項（抜粋）：
基板上に位相シフト膜からなるパターンをスパッタリング法により形成する露光用マスクの製造方法において、前記位相シフト膜の成膜初期にスパッタ粒子の前記基板への飛程を遮ることを特徴とする露光用マスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
