特許
J-GLOBAL ID:200903067964971628

磁気モーメント低下方法及びデータ記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 頓宮 孝一 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-092447
公開番号(公開出願番号):特開平6-103574
出願日: 1993年03月26日
公開日(公表日): 1994年04月15日
要約:
【要約】【目的】強磁性材料の磁気モーメントを低下させる方法及びデータ記憶装置を提案する。【構成】この方法及び装置は、磁性膜と、ブランケツトすなわち磁性膜に隣接するゲルマニウムでなるパターン化された膜と、これらの2つの膜の界面を少なくとも 200〔°C〕に加熱することによりゲルマニウムを磁性膜内に拡散させ、これによつて磁気モーメントを低下させる手段とを含む。本発明は記憶媒体上に記録トラツク14、15を形成して誘導ヘツド及び磁気抵抗ヘツドのための磁性膜をパターン化する問題を克服して移動する記憶媒体からデータを検索する。
請求項(抜粋):
強磁性材料の磁気モーメントを低下させる方法において、上記強磁性材料の表面とゲルマニウム及びシリコンでなる族から選択された第1の材料の表面との界面を最初に形成するステツプと、上記界面を少なくとも 150〔°C〕に加熱し、これによつて上記第1の材料が上記強磁性材料内に拡散して2元化合物を含む第2の材料を形成するステツプとを含むことを特徴とする磁気モーメント低下方法。
IPC (2件):
G11B 5/855 ,  G11B 5/82
引用特許:
審査官引用 (4件)
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