特許

J-GLOBAL ID：200903067970255900

露光装置及びその装置を用いた露光方法

発明者： 北野 直樹
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307778
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144705
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイスの集積度向上、微細化に対応したホトレジストパターニングが可能な装置を提供する。【構成】 この露光装置は、直線偏光を半導体ウェハに露光するi線ステッパ(NA=0.60)である。縮小レンズ140と半導体ウェハ160との間に偏光素子200を有し、これによって多重干渉効果が抑えられている点に特徴を有している。偏光素子200は、光源110からの光を軸として回転自在に設けられ、半導体ウェハ160への光の偏光方向を可変にしている。

請求項（抜粋）：

光源からの光をホトマスクにあて、半導体ウェハに塗られたレジスト膜に前記ホトマスクの透過光を結像させてレジストパターンを焼き付ける露光装置であって、前記レジスト膜に結像する前記透過光を直線偏光にする偏光素子を備えたことを特徴とする露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 S ,  H01L 21/30 311 L