可動部を有する半導体装置及びその処理方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154370
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349065
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】可動部のスティッキングを防止した半導体装置を提供すること。【解決手段】基板1の、可動部300と対向する表面10を、部分的にエッチングし、面荒れを起こさせる。これにより、可動部300が表面10に固着しにくくなる。表面10を部分的にエッチングする方法としては、表面10近傍と、可動部300及び活性層3とを異なる不純物組成のシリコン(Si)で作製した上で、フッ酸(フッ化水素(HF)水溶液)による電解エッチング、フッ酸/濃硝酸/酢酸混液による選択エッチング、水酸化カリウム(KOH)水溶液中での電気化学的エッチング停止或いはパルス電流による陽極酸化を用いることができる。

請求項（抜粋）：

その一部が、犠牲層を介して支持基板に支持され、且つその主要部が、前記支持基板と空隙を介して対向し、前記支持基板に対して可動である可動部を有する半導体装置において、前記支持基板の表面の前記可動部と対向する部分がエッチングされて平滑度が悪化しており、前記可動部が、それと対向する前記支持基板の表面に固着しにくいことを特徴とする可動部を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3063 , C23F 1/44 , C25F 3/14 , H01L 29/84

FI (4件)：

H01L 21/306 L , C23F 1/44 , C25F 3/14 , H01L 29/84 Z

Fターム (29件)：

4K057WA05 , 4K057WA20 , 4K057WB06 , 4K057WD10 , 4K057WE02 , 4K057WE07 , 4K057WE12 , 4K057WE21 , 4K057WE23 , 4K057WG04 , 4K057WN01 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA36 , 4M112DA04 , 4M112EA02 , 4M112EA06 , 4M112EA13 , 4M112EA18 , 4M112FA06 , 5F043AA02 , 5F043AA31 , 5F043BB02 , 5F043BB22 , 5F043DD14 , 5F043DD30 , 5F043EE14 , 5F043FF10 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平4-286165

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