特許
J-GLOBAL ID:200903067981475405
固体撮像素子およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野田 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-235778
公開番号(公開出願番号):特開2003-051585
出願日: 2001年08月03日
公開日(公表日): 2003年02月21日
要約:
【要約】【課題】 光センサーからオンチップレンズまでの距離を短縮する。【解決手段】 配線126の表面、および配線126側部の層間絶縁膜124の表面に、層間絶縁膜130より研磨選択比が高い絶縁材料によるバッファー層4が形成されている。層間絶縁膜130の表面の高さは、配線126上のバッファー層4の表面の高さに一致しており、その上にパッシベーション膜132が形成されている。層間絶縁膜130は、その材料を堆積させた後、研磨して表面を平坦化することにより形成でき、その際、バッファー層4の材料は層間絶縁膜130の材料より研磨選択比が高いので、研磨をバッファー層4の表面で停止することができる。よって、配線126とパッシベーション膜132との間には薄いバッファー層4が介在するのみとでき、また、パッシベーション膜132の上に平坦化膜を形成する必要がない。
請求項(抜粋):
半導体基板の表面部に形成されたフォトセンサーに入射光を収束させるオンチップレンズと、前記半導体基板の上に形成された表面が平坦な第1の層間絶縁膜と、同第1の層間絶縁膜の上に形成された最上層の配線と、同配線の側部を埋めるべく前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記配線と前記オンチップレンズとの間に形成されたパッシベーション膜とを備えた固体撮像素子であって、前記配線の表面に形成された、前記第2の層間絶縁膜の材料より研磨選択比が高い絶縁材料から成るバッファー層を含み、前記第2の層間絶縁膜の表面の高さは、前記配線上の前記バッファー層の表面の高さに等しく、前記パッシベーション膜は、前記配線上の前記バッファー層の表面および前記第2の層間絶縁膜の表面に形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H04N 5/335 U
, H01L 27/14 D
Fターム (14件):
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA06
, 4M118CA32
, 4M118CA33
, 4M118GB11
, 4M118GB15
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024CY47
, 5C024CY48
, 5C024EX43
, 5C024GX03
, 5C024GY01
引用特許:
審査官引用 (6件)
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固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-170473
出願人:日本電気株式会社
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固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-253714
出願人:株式会社東芝
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-353704
出願人:日本電気株式会社
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