特許
J-GLOBAL ID：200903067991592590
放射線検出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-176330
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188468
出願日： 1993年07月16日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、エネルギー分解能の特性に優れ、熱サイクル耐性にも優れた放射線検出素子及びその製造方法を提供する。【構成】 基板50上に、第1の超伝導体層14と、バリア層16と、第2の超伝導体層18が形成され、これら第1の超伝導体層14とバリア層16と第2の超伝導体層18により形成される接合部分に放射線を入射することにより放射線を検出する。第1の超伝導体層14がTa層であり、バリア層16がTaOx層、AlOx層、HfOx層又はZrOx層であり、基板50の底面に放射線阻止能の大きな材料からなる放射線阻止層52が形成され、接合部分直下の基板50及び放射線阻止層52に、第1の超伝導体層14に達する開口部26が形成され、基板50の底面から接合部分に放射線を入射する。第1の超伝導体層14の直下に、Nb、V、W、Hf、Zr又はTiからなる下地層54を設けてもよい。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された第1の超伝導体層と、前記第1の超伝導体層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成された第2の超伝導体層とを有し、前記第1の超伝導体層と前記バリア層と前記第2の超伝導体層により形成される接合部分に放射線を入射することにより放射線を検出する放射線検出素子において、前記第1の超伝導体層は、Ta層であり、前記バリア層は、TaOx層、AlOx層、HfOx層又はZrOx層を有し、前記基板の底面に放射線阻止能の大きな材料からなる放射線阻止層が形成されており、前記接合部分直下の前記基板及び前記放射線阻止層に、前記第1の超伝導体層に達する開口部が形成され、前記基板の底面から前記接合部分に放射線を入射することを特徴とする放射線検出素子。
IPC (4件)：
H01L 39/22 ZAA
, G01T 1/24
, H01L 31/09
, H01L 31/04
H01L 31/00 A
, H01L 31/04 ZAA Z
