特許

J-GLOBAL ID：200903067995289019

半導体装置の製造方法

発明者： 堤 聡明 ,  森 健壹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-194711
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041386
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 従来の技術では、半導体装置内にコンタクトプラグを形成する場合、コンタクトホール内に導電物質を埋設する際に、高温スパッタ法によって熱処理を行い埋め込む方法が取られていた。しかし、この方法ではコンタクトプラグ内にボイドが残り、コンタクトプラグの電気特性の低下が生じる等の問題があった。【解決手段】 コンタクトホール3内にバリアメタル4を介してCu膜7を均一な厚さに積層し、さらにAl膜8を積層後、リフローを行う。この方法によるとコンタクトホール内に十分に導電物質が積層され、加熱によって生じるAlCu合金膜の流動性が高いため、ボイドを発生することなくコンタクトホールを埋設することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板内の導電領域若しくは半導体基板上の配線上に積層された層間絶縁膜に選択的にエッチングを行い、上記層間絶縁膜の上面から上記導電領域若しくは上記配線の上面の高さにかけてコンタクトホールを開口する工程、少なくとも上記コンタクトホールの底面を含む内壁にバリアメタルを介して第一の金属膜を積層する工程、上記第一の金属膜の上面に第二の金属膜を積層する工程、熱処理を行い、上記第一、第二の金属膜の合金膜を生成し、上記コンタクトホール内に上記合金膜を埋設し、コンタクトプラグを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、上記第一の金属膜は、少なくとも上記コンタクトホールの内壁に均一な厚さとなるように積層されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R