特許
J-GLOBAL ID：200903067998767418
半導体装置の製造方法及び研磨装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303376
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162430
出願日： 1994年12月07日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【構成】本発明は研磨装置のウエハ支持部のトップリングの外周に、ウエハの外周に沿って補完物を設ける。この補完物の働きによりウエハ表面に形成された層間絶縁膜の平坦化や素子分離層の平坦化を行うことにより、信頼性の高い平坦化工程を行う。【効果】本発明によれば、研磨速度がウエハ面内で均一となる。またウエハの被研磨面で生じる残膜量の不均一を防ぐことができる。このため信頼性高く半導体装置の製造工程中の平坦化工程を行うことができる。
請求項（抜粋）：
表面に所定膜が形成された半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板を研磨装置の基板保持部により保持させ前記所定膜を前記研磨装置の研磨部に対向させる工程と、前記研磨部により前記所定膜を研磨する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板を前記基板保持部に設けられた前記半導体基板の外周に沿った補完物により補完して前記所定膜を研磨する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/3205
