特許
J-GLOBAL ID：200903068000066698
高誘電率薄膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145295
公開番号（公開出願番号）：特開平7-017713
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月20日
要約：
【要約】【目的】 小型化が可能な薄膜コンデンサを得ることができる高誘電率で絶縁特性の良好な誘電体薄膜を得る。【構成】 下部電極2と上部電極4のあいだに誘電体膜3をはさむ構造の薄膜コンデンサにおいて、誘電体膜3は(Ba,Sr)<SB>y </SB>TiO<SB>3 </SB>で表されるペロブスカイト構造を有する誘電体薄膜であり、yは1.00<y≦1.20の組成範囲を特徴とするものである。また上記の構造の薄膜コンデンサにおいて、誘電体膜3は上記組成の誘電体にMn,Pb,希土類元素の中から選ばれる少なくとも1種類を多くとも10mol%添加したペロブスカイト構造を有する誘電体薄膜である。
請求項（抜粋）：
(Ba,Sr)<SB>y </SB>TiO<SB>3 </SB>の化学式で表されるペロブスカイト型の酸化物であり、1.00<y≦1.20の組成を有することを特徴とする高誘電率薄膜。
IPC (3件)：
C01G 23/00
, C04B 35/46
, H01B 3/12 326
