特許

J-GLOBAL ID：200903068001281746

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 中原 健
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 山田 義人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-231420
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068582
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【構成】 エージングによって活性層22の光導波路38にレーザ光を生じさせると、光導波路38の端部がレーザ光を吸収して発熱する。そして、この熱によって結晶成長層32の端面に形成された膜40中の亜鉛(Zn)が活性層22へ向けて拡散される。活性層22における光導波路38の端部に亜鉛(Zn)が拡散されると、その部分において格子の規則性が破壊(無秩序化)されて透明領域38aが形成される。【効果】 レーザ特性を安定させることができるとともに、製造工程を簡素化できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に光導波路を有する活性層を含む結晶成長層を形成し、前記結晶成長層の端面に保護膜を形成した、半導体レーザ装置において、前記結晶成長層の端面と前記保護膜との間に亜鉛を含有する膜を形成し、前記膜から前記活性層へ前記亜鉛を拡散させることによって前記光導波路の端部を発光波長に対して透明化したことを特徴とする、半導体レーザ装置。

Fターム (7件)：

5F073AA74 ,  5F073AA84 ,  5F073AA85 ,  5F073AA86 ,  5F073CB20 ,  5F073DA13 ,  5F073DA15