特許
J-GLOBAL ID：200903068005241960
誘電体薄膜素子の製造方法及び誘電体薄膜素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180378
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153598
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、十分に高い誘電率を示し、リーク電流が小さく、高信頼性の誘電体薄膜素子の製造方法及び誘電体薄膜素子を提供することを目的としている。【解決手段】 少なくとも電極と誘電体薄膜とから成る誘電体薄膜素子の製造方法において、ペロブスカイト型酸化物焼結体、チタン、又は酸化チタンから成るターゲットと用い、ネオンを含むスパッタガスを用いて、スパッタリング法により誘電体薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも電極と誘電体薄膜とから成る誘電体薄膜素子の製造方法において、ペロブスカイト型酸化物焼結体をターゲットとし、ネオンを含むスパッタガスを用いて、スパッタリング法により誘電体薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜素子の製造方法。
IPC (11件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, C30B 29/16
, C30B 29/32
, H01B 3/00
, H01L 21/203
, H01L 21/314
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, C23C 14/08 E
, C23C 14/34 M
, C23C 14/34 A
, C30B 29/16
, C30B 29/32 B
, H01B 3/00 F
, H01L 21/203 S
, H01L 21/314 A
, H01L 27/04 C
