特許
J-GLOBAL ID:200903068012917367

透明導電膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-111891
公開番号(公開出願番号):特開平11-302017
出願日: 1998年04月22日
公開日(公表日): 1999年11月02日
要約:
【要約】【課題】 液晶表示素子やプラズマ発光表示素子等の透明電極、太陽電池等の透明電極、赤外線吸収反射膜、防曇膜、電磁遮蔽膜等に利用される良好な電気伝導性と可視光透過性を有する透明導電膜。【解決手段】 インジウム(In)、アンチモン(Sb)、酸素(O)の3成分を主構成成分とし、欠陥蛍石型結晶構造を有する複酸化物であり、一般式:In3Sb1-XO7-δ(-0.2≦X≦0.2、および-0.5≦δ≦0.5の範囲である)で表される透明導電膜であり、さらにSn、Si、Ge、Ti、Zr、Pb、Cr、Mo、W、Te、V、Nb、Ta、Bi、As、Ceの高原子価金属元素、もしくはF、Br、Iのハロゲン元素から選ばれる少なくとも1種類以上の元素を0.01〜20原子%の割合でドープする。また還元アニールにより酸素空孔を生成させ、それによりキャリア電子を注入する。
請求項(抜粋):
インジウム(In)、アンチモン(Sb)、酸素(O)の3成分を主構成成分とし、欠陥蛍石型結晶構造を有する複酸化物であり、一般式:In3Sb1-XO7-δ(-0.2≦X≦0.2、および-0.5≦δ≦0.5の範囲である)で表される透明導電膜。
IPC (4件):
C01G 15/00 ,  C01G 30/00 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 5/14
FI (4件):
C01G 15/00 B ,  C01G 30/00 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 5/14 A

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