特許
J-GLOBAL ID：200903068018171197
薄膜半導体の製造装置及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083011
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297133
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 光劣化の少ない、水素含有量を少なく制御できる薄膜半導体装置の製造装置及び製造方法を提供する。【構成】 水素ガスを原子状水素にするための第1の加熱手段と第1の加熱手段にシリコンが堆積するのを防ぐ第2の加熱手段を設ける、又、該製造装置を用いて薄膜半導体を堆積する工程と原子状水素で該薄膜半導体を曝露する工程を交互に繰り返しながら堆積を行う。
請求項（抜粋）：
薄膜半導体を形成するための反応室、該反応室に隣接し第1の加熱手段を有する加熱室、該加熱室の前記第1の加熱手段と前記反応室の前記薄膜半導体形成領域との間に設けられた第2の加熱手段、とを有することを特徴とする薄膜半導体の製造装置。
IPC (2件)：
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