特許
J-GLOBAL ID：200903068025559184
気相成長装置および気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-291557
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122506
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロエピタキシャル層を、エピタキシャル層間の結晶組成の不安定な領域が極めて小さくなるようにして形成できるようにする。【構成】 成長炉1内の反応管2内に複数の反応室9、10を設け、各室にIII族原料輸送ガス供給管3、V族原料ガス供給管4を設け、III 族原料5を配置する。一方の成長室での成長終了時に、成長室分離ガス供給管11より噴出させていたH2 をガス切り替え弁13により成長室分離ガス排気管14に導入し、同時に、基板ホルダー8上に開孔したクエンチガス供給口15よりH2 等のクエンチガスを基板7上に噴出させて、基板7上への原料ガスの供給を遮断しつつ基板ホルダー8を回転させて基板を他成長室前に移動させる。
請求項（抜粋）：
気相成長法により基板上に化合物半導体の複数のエピタキシャル層を連続して成長させるために、結晶成長用反応管内部に複数の結晶成長室を結晶成長のための原料を供給するガスの流れ方向に平行に設け、前記基板を保持した基板ホルダーを各結晶成長室の前面に位置させることができるように構成した気相成長装置において、前記基板ホルダー内部にクエンチガス導入管を設け、クエンチガス供給口を前記基板ホルダーの基板搭載部上の周囲に設けたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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