特許

J-GLOBAL ID：200903068033879805

半導体熱処理方法およびそれに用いる装置

発明者： 吉野 明 ,  木山 洋実 ,  大森 宣典 ,  前川 俊一 ,  稲嶺 一
出願人/特許権者： 大同ほくさん株式会社 ,  セミックスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205933
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055385
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】急激に温度変化させてもウエハ周囲において温度ムラおよびガスの濃度ムラを生じることのない、優れた半導体熱処理方法およびそれに用いる装置を提供する。【解決手段】熱処理装置20の熱処理炉内に被処理物を装填し加熱するに際し、炉内に、雰囲気ガスもしくはプロセスガス希釈用ガスとしてヘリウムを主体とするガスを供給するとともに、炉内からこれを排気して回収し、回収後ヘリウムを精製して再利用に供するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体製造のために熱処理炉内で熱処理を行う熱処理方法であって、上記熱処理炉内に被処理物を装填し加熱するに際し、炉内に、雰囲気ガスもしくはプロセスガス希釈用ガスとしてヘリウムを主体とするガスを供給するとともに、炉内からこれを排気して回収し、回収後ヘリウムを精製して再利用に供するようにしたことを特徴とする半導体熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/324 Z ,  H01L 21/324 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 S ,  H01L 21/31 E