特許
J-GLOBAL ID：200903068033998081
リソグラフ投影装置およびこの装置用の反射鏡アセンブリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 岩本 行夫
, 吉田 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-325248
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165638
出願日： 2003年08月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】EUV透明性にほとんど影響を及ぼさないデブリ抑制システムを有する放射源を提供すること。【解決手段】本発明はリソグラフ投影装置であり、本リソグラフ投影装置は、放射源が放出する放射から放射の投影ビームを形成することができる放射システム、並びに、投影ビームで照射されたときにパターンを有する投影ビームを実現するパターン形成手段を保持するように構成された支持構造、基板を保持するように構成された基板テーブル、および、パターン形成手段の放射線照射部分の像を基板の目標部分に形成するように構成され配列された投影システムを備える。放射システムは、さらに、光軸から距離を隔てたところにある開口部、放射源から見たときに開口部の後ろに配置された反射鏡、および、開口部の後ろの低放射強度領域に配置された構造物を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の反射鏡(21)および第2の反射鏡(22)を備えた電磁放射を反射する反射鏡アセンブリ(10)であって、前記第1の反射鏡(21)および前記第2の反射鏡(22)が光軸(O)の方向に延びかつ反射面(26、27)および裏当て面(24、25)を有し、このアセンブリ(10)において、前記反射鏡(21、22)に交差する光軸(O)に垂直な想像線(L)が光軸(O)から第1の距離(r1)で前記第1の反射鏡(21)に交差しさらに光軸(O)から第2の距離(r2)で前記第2の反射鏡(22)に交差し、前記第1の距離(r1)が前記第2の距離(r2)よりも大きく、光軸上の点から出ていく放射線が、前記第2の反射鏡(22)で遮られ、かつ前記第1の反射鏡(21)の反射面で反射されて、前記反射鏡(21、22)の間に高放射強度のゾーン(zh)と低放射強度のゾーン(zl)を画定し、前記低強度ゾーン(zl)の位置にある前記第2の反射鏡(22)の前記裏当て面(25)に構造物(31)が存在することを特徴とする反射鏡アセンブリ(10)。
IPC (5件)：
H01L21/027
, G03F7/20
, G21K1/06
, G21K5/00
, G21K5/02
H01L21/30 531A
, G03F7/20 503
, G21K1/06 A
, G21K5/00 Z
, G21K5/02 X
, H01L21/30 517
2H097AA02
, 2H097CA15
, 2H097GB02
, 2H097LA10
, 5F046AA22
, 5F046BA03
, 5F046CB02
, 5F046CB22
, 5F046GA03
, 5F046GA07
, 5F046GB01
, 5F046GC03
