特許
J-GLOBAL ID：200903068034331170
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094284
公開番号（公開出願番号）：特開平8-269709
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月15日
要約：
【要約】【構成】 カソードとアノードとの間に絶縁誘電体を介在させ、この誘電体とカソードとの間に大気圧下で非平衡低温プラズマを発生させ、カソードからスパッタされたカソード形成材料を非平衡低温プラズマ領域中又は非平衡低温プラズマ領域に近接して設置された基板上に膜状に析出させることを特徴とする薄膜形成方法。【効果】 本発明によれば、大気圧下において高い成膜速度でピンホール、クラック、気孔などのない均質、高純度、緻密な薄膜を形成でき、このため高品質を要求される電子材料用途、歯科等の医療用途などに有効に採用される。
請求項（抜粋）：
カソードとアノードとの間に絶縁誘電体を介在させ、この誘電体とカソードとの間に大気圧下で非平衡低温プラズマを発生させ、カソードからスパッタされたカソード形成材料を非平衡低温プラズマ領域中又は非平衡低温プラズマ領域に近接して設置された基板上に膜状に析出させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C23C 14/34 T
, C23C 14/34 B
, H05H 1/46 B
