特許
J-GLOBAL ID：200903068042248583
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291515
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140671
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板1上に、少なくとも二層の半導体層から成る複数の発光部2を列状に配置し、この複数の発光部2上に電極3を設けて発光素子アレイを形成し、この発光素子アレイを前記発光部2が列状になるように複数並べた半導体発光装置において、前記発光部2上の電極3のうち、半導体基板1の端部に配置される発光部2a上の電極3aを、前記半導体基板1の端面とは反対側に寄せて形成した。【効果】 発光部2aの主たる光の取り出し面は、半導体基板1の端部になり、隣接する半導体基板1上の端部に配置される発光部との間隔を従来品と同程度に維持しながら、端部に配置される発光部2aを従来品よりも半導体基板1の内側に寄せて形成することができ、もって円盤状の半導体基板を矩形状の半導体基板に切断する際に、端部の発光部2aに欠陥などが発生することを防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、少なくとも二層の半導体層から成る複数の発光部を列状に配置し、この複数の発光部上に電極を設けて発光素子アレイを形成し、この発光素子アレイを前記発光部が列状になるように複数並べた半導体発光装置において、前記発光部上の電極のうち、半導体基板の端部に配置される発光部上の電極を、前記半導体基板の端部とは反対側に寄せて形成したことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
