特許
J-GLOBAL ID：200903068043839887
化合物半導体超微粒子気相製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-200433
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047664
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 原料化合物蒸発時における化合物自身の分解解離を防ぐことのできる化合物半導体超微粒子気相製造装置を提供する。【構成】 本発明の装置は、原料化合物の蒸発室1と製造された超微粒子を捕集する捕集室2から構成される。原料化合物自身の分解解離を防ぐための蒸気発生機構4を蒸発室1に取り付ける。【効果】 化合物構成元素間の蒸気圧差が大きい場合でも、化学量論比の保持された結晶性のよい超微粒子を製造することができる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体の超微粒子をガス中蒸発法により製造させる装置において、原料化合物半導体の構成元素の内、蒸気圧の高い元素の蒸気を外部より導入し、原料化合物蒸発源近傍に発生させる機構を装備することを特徴とする、化合物半導体超微粒子気相製造装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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