特許

J-GLOBAL ID：200903068048203964

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 中井 宏明 ,  龍川 諭 ,  前島 恵
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-091734
公開番号（公開出願番号）：特開2002-288988
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 単位領域ごとにデータ書込もしくはデータ消去が実行される不揮発性半導体記憶装置において、各単位領域ごとのデータ書込もしくはデータ消去条件を最適化する。【解決手段】 不揮発的なデータ記憶を実行するためノーマルメモリアレイ10は、それぞれが1回のデータ書込もしくはデータ消去における対象単位に相当するm個(m:自然数)のセクタに分割される。エクストラメモリアレイ10pは、それぞれが1回のデータ読出における対象単位に相当する、m個以下の複数のエクストラセクタを含む。各エクストラセクタは、m個のセクタのうちの1つに対応する、データ書込条件もしくはデータ消去条件に関するデータを不揮発的に記憶する。データ書込動作もしくはデータ消去動作条件は、エクストラメモリアレイから読出される、選択されたセクタに対応する情報に基づいて実行される。

請求項（抜粋）：

不揮発的なデータ記憶を実行するための、複数の第1単位領域に分割された第1メモリアレイと、前記第1メモリアレイに対する、データ書込およびデータ消去のいずれかを実行するための所定動作に関する設定条件データを保持するための動作条件記憶部とを備え、前記動作条件記憶部は、それぞれが1回のデータ読出動作における対象単位に相当する複数の第2単位領域を有する第2メモリアレイを含み、各前記第2単位領域は、前記複数の第1単位領域のうちの1つに対応する前記設定条件データを不揮発的に記憶し、前記動作条件記憶部から読出される前記設定条件データに基づいて、複数の第1単位領域のうちの選択された1つに対して前記所定動作を実行するための電気信号の設定条件を決定するための電気信号制御部と、前記電気信号制御部によって決定された設定条件に従う前記電気信号を、前記選択された1つの第1単位領域に供給するための選択部とをさらに備える、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (5件)：

G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 612 Z ,  G11C 17/00 631

Fターム (7件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08