特許
J-GLOBAL ID：200903068055701678
電子部品の実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036071
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247531
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】接合部の信頼性が高く、生産性に優れた電子部品の実装方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1のスズ電極層2に半導体チップ3の金バンプ4が接合されてなり、絶縁基板1と半導体チップ3の間隙部にはアンダーフィル樹脂5が充填されてなる電子部品の実装方法であって、絶縁基板1上にアンダーフィル樹脂5を滴下する工程、熱圧着ツール6により280°C以上に加熱された半導体チップ3が半導体チップ3の金バンプ4と絶縁基板1のスズ電極層とが対向するように下降し、金バンプ4とスズ電極層2との間に金-スズ共晶合金層を形成し接合すると共に間隙部に充填されたアンダーフィル樹脂5は硬化直前まで加熱させる熱圧着工程、前記アンダーフィル樹脂5を200°C以下の温度で硬化させるアフターキュア工程の順で行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板(1)の電極にはスズ電極層(2)が形成されてなり、半導体チップ(3)の電極には金バンプ(4)が形成されてなり、前記絶縁基板(1)の電極と前記半導体チップ(3)の電極とが接合され、前記絶縁基板(1)と半導体チップ(3)の間隙部にはアンダーフィル樹脂(5)が充填されてなる電子部品の実装方法であって、前記絶縁基板(1)上にアンダーフィル樹脂(5)を滴下するアンダーフィル樹脂(5)滴下工程、熱圧着ツール(6)により280°C以上に加熱された前記半導体チップ(3)が前記半導体チップ(3)の金バンプ(4)と前記絶縁基板(1)上の電極とが対向するように下降し、前記半導体チップ(3)の金バンプ(4)と前記絶縁基板(1)上の電極に施されたスズ電極層(2)との間に金-スズ共晶合金層を形成し接合すると共に半導体チップ(3)と絶縁基板(1)の間隙部に充填されたアンダーフィル樹脂(5)は硬化(ゲル化)直前まで加熱させる熱圧着工程、前記アンダーフィル樹脂(5)を200°C以下の温度で硬化(ゲル化)させるアフターキュア工程の順で行うことを特徴とする電子部品の実装方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F044KK02
, 5F044LL11
, 5F044RR19
