特許
J-GLOBAL ID：200903068055706149
電子放出素子の製造方法と、該製造方法にて製造される電子放出素子を用いた電子源及び画像形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-137317
公開番号（公開出願番号）：特開平8-007749
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 効率の高い電子放出素子を得るための電子放出素子の製造方法と、該製造方法にて製造される電子放出素子を用いた電子源及び画像形成装置を提供することを目的とする。【構成】 対向する電極間に、電子放出部を含む導電性膜を有する電子放出素子の製造方法において、電極間に形成された、電子放出部を含む導電性膜に、炭素あるいは炭素化合物を堆積させる工程を有し、且つ、該炭素あるいは炭素化合物を堆積させる工程は、該工程での温度雰囲気下における蒸気圧が5000hPa以下である炭素化合物を用いて行われる工程であることを特徴とする電子放出素子の製造方法と該製造方法にて製造される電子放出素子を用いた電子源及び画像形成装置。
請求項（抜粋）：
対向する電極間に、電子放出部を含む導電性膜を有する電子放出素子の製造方法において、電極間に形成された、電子放出部を含む導電性膜に、炭素あるいは炭素化合物を堆積させる工程を有し、且つ、該炭素あるいは炭素化合物を堆積させる工程は、該工程での温度雰囲気下における蒸気圧が5000hPa以下である炭素化合物を用いて行われる工程であることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
