特許

J-GLOBAL ID：200903068058338949

非破壊検査装置および非破壊検査方法

発明者： 二川 清
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037077
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286314
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 ボンディングパッド形成前のチップを検査可能とし、また、検査の効率を高める。【解決手段】 光学系2により生成されたレーザビーム3が半導体デバイスチップ4上の欠陥箇所に照射され欠陥箇所が加熱されると、熱起電力によって過渡的に電流が流れ、その結果、磁場が生成される。磁場検出器5は、この磁場の強度を検出することで半導体デバイスチップに含まれる欠陥を検出する。検出結果は制御・画像処理系6により輝度に変換され、レーザ顕微鏡像と合成して像表示装置に像が表示される。ボンディングパッド14から上記熱起電力による電流を電流集束ボード16に集めた上で磁場検出器5により磁場を検出することで、検出感度をいっそう高めることができる。

請求項（抜粋）：

レーザ光を発生する光源と、前記光源が発生したレーザ光よりレーザビームを生成して半導体デバイスチップに照射するレーザビーム生成手段とを備えて前記半導体デバイスチップを非破壊的に検査する装置であって、前記レーザビーム生成手段による前記レーザビームの照射により前記半導体デバイスチップ中に熱起電力電流が生じて誘起される磁場の強度を検出する磁場検出手段を備え、前記磁場検出手段の検出結果により前記半導体デバイスチップの欠陥の有無を検査することを特徴とする非破壊検査装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/00 ,  G01N 27/82

FI (3件)：

H01L 21/66 C ,  G01B 11/00 A ,  G01N 27/82

Fターム (35件)：

2F065AA03 ,  2F065AA61 ,  2F065BB13 ,  2F065BB23 ,  2F065CC17 ,  2F065DD04 ,  2F065DD06 ,  2F065FF67 ,  2F065GG04 ,  2F065GG05 ,  2F065HH04 ,  2F065LL28 ,  2F065LL33 ,  2F065MM03 ,  2F065SS02 ,  2F065SS13 ,  2G053AA11 ,  2G053AB11 ,  2G053AB14 ,  2G053BA15 ,  2G053CA04 ,  2G053CB29 ,  2G053DB20 ,  4M106AA02 ,  4M106AA08 ,  4M106AC02 ,  4M106AC04 ,  4M106AC20 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CA70 ,  4M106DH01 ,  4M106DH17 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ23