特許

J-GLOBAL ID：200903068081329060

位相シフトマスク及びそれを用いた露光方法

発明者： 山口 弘高
出願人/特許権者： 株式会社 液晶先端技術開発センター
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-246897
公開番号（公開出願番号）：特開2006-064968
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】 透明絶縁性基板上に微細なラインアンドスペース・パターンを露光する際に、深い焦点深度を実現することが可能な位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 本発明の位相シフトマスクは、光の位相を反転させる位相シフタ11を配置したマスクパターンを用いて、遮光膜を併用せずに、等倍投影露光でラインアンドスペース・パターンを露光するための位相シフトマスクであって、前記ラインアンドスペース・パターンのライン幅Lが0.5μm以上0.8μm以下で、ピッチが2Lであるとき、前記マスクパターンは、ライン状の位相シフタ11を互いに平行に並べたものであって、その幅Wが0.5L以上0.75L以下、ピッチPが2Lであることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光の位相を反転させる位相シフタを配置したマスクパターンを用いて、遮光膜を併用せずに、等倍投影露光でラインアンドスペース・パターンを露光するための位相シフトマスクであって、 前記ラインアンドスペース・パターンのライン幅Lが0.5μm以上0.8μm以下であって、ピッチが2Lであるとき、前記マスクパターンは、ライン状の位相シフタを互いに平行に並べたものであって、その幅が0.5L以上0.75L以下、ピッチが2Lであることを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F1/08 A ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 515F

Fターム (8件)：

2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BC09 ,  2H095BC24 ,  2H095BC26 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CB17