配線構造の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057974
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273483
出願日： 2003年03月05日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】ビアホール(コンタクトホール)やトレンチ(配線溝)などの開口部を形成するためのフォトレジスト膜の窒素系化合物ガスに起因するパターン不良を抑制することが可能な配線構造の形成方法を提供する。【解決手段】この配線構造の形成方法は、第1配線層9を構成する工程と、第1配線層9上にSiOC膜11を形成する工程と、SiOC膜11上に、窒素系化合物ガスの透過を抑制するためのTEOS-SiO2膜からなるガス透過抑制膜12を形成する工程と、SiOC膜11およびガス透過抑制膜12にビアホール20を形成する工程と、ビアホール20の形成後に熱処理または真空中で保持する工程と、その後、SiOC膜11およびガス透過抑制膜12にトレンチ(配線溝)30を形成する工程とを備えている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1配線層を形成する工程と、前記第1配線層上に第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1配線層上に、窒素を含むガスの透過を抑制するためのガス透過抑制膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜および前記ガス透過抑制膜に第1開口部を形成する工程と、前記第1開口部の形成後に熱処理を施すか、または、真空下で保持するかの少なくともいずれかを行う工程と、その後、少なくとも前記第1絶縁膜に第2開口部を形成する工程とを備えた、配線構造の形成方法。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/90 M , H01L21/90 A

Fターム (39件)：

5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ00 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ74 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033XX00 , 5F033XX03 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-340160 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
電子デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-043662 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 松下電器産業株式会社
半導体材料上の低誘電率層を保護する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-117668 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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