特許

J-GLOBAL ID：200903068087014834

半導体ナノ構造及びそれを製造する方法

発明者： ティルマーラ・アール・ランガナス ,  サングンソー・イー ,  ウイリアム・エイチ・マッカリスター
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (1件)： 特許業務法人オカダ・フシミ・ヒラノ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-197730
公開番号（公開出願番号）：特開2007-050500
出願日： 2006年07月20日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】サイズを厳密に制御できる半導体ナノ構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ナノ構造であって、基板上での半導体ナノワイヤの成長中に、触媒粒子によって画定される成長場所において、前記半導体ナノワイヤのタ-ゲットセグメント及び犠牲セグメントをそれぞれ形成する、異なるそれぞれの蒸気-液体-固体反応を支援することと、前記半導体ナノワイヤの前記犠牲セグメントを選択的に除去して、前記半導体ナノワイヤの前記タ-ゲットセグメントに対応する半導体ナノ構造を形成することと、を含む工程によって製造される、半導体ナノ構造。 【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体ナノ構造であって、 基板上での半導体ナノワイヤの成長中に、触媒粒子によって画定される成長場所において、前記半導体ナノワイヤのタ-ゲットセグメント及び犠牲セグメントをそれぞれ形成する、異なるそれぞれの蒸気-液体-固体反応を支援することと、 前記半導体ナノワイヤの前記犠牲セグメントを選択的に除去して、前記半導体ナノワイヤの前記タ-ゲットセグメントに対応する半導体ナノ構造を形成することと、 を含む工程によって製造される、半導体ナノ構造。

IPC (3件)：

B82B 1/00 ,  H01L 29/06 ,  B82B 3/00

FI (3件)：

B82B1/00 ,  H01L29/06 601N ,  B82B3/00