特許
J-GLOBAL ID：200903068100639520
半導体レ-ザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-129178
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293933
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体レ-ザ素子の動作において発光効率が高く、かつ信頼性の高い構造の半導体レ-ザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型基板1上に第1導電型第1光閉じ込め層3と、第1光ガイド層4と、活性層5と、第2光ガイド層6と、第2導電型第2光閉じ込め層7とを順次積層すると共に、前記活性層5から出射するレ-ザ光の出射方向にストライプ状溝14を挟み、屈折率n<SB>1 </SB>を有する第1導電型狭窄層9を、屈折率n<SB>2 </SB>を有する前記第2導電型第2光閉じ込め層7上に配置し、更に前記第1導電型狭窄層9及び前記第2導電型第2光閉じ込め層7上に第2導電型第3光閉じ込め層10を順次積層してなり、前記第2導電型第2光閉じ込め層7の屈折率n<SB>2 </SB>と前記第1導電型狭窄層9の屈折率n<SB>1 </SB>との関係が0.2<n<SB>2 </SB>-n<SB>1 </SB>となるようにした。
請求項（抜粋）：
第1導電型基板上に第1導電型第1光閉じ込め層と、第1導電型光ガイド層と、活性層と、第2導電型光ガイド層と、第2導電型第2光閉じ込め層とを順次積層すると共に、前記活性層から出射するレ-ザ光の出射方向にストライプ状溝を挟み、屈折率n<SB>1 </SB>を有する第1導電型狭窄層を、屈折率n<SB>2 </SB>を有する前記第2導電型第2光閉じ込め層上に配置し、更に前記第1導電型狭窄層及び前記第2導電型第2光閉じ込め層上に第2導電型第3光閉じ込め層を順次積層してなり、前記第2導電型第2光閉じ込め層の屈折率n<SB>2 </SB>と前記第1導電型狭窄層の屈折率n<SB>1</SB>との関係が0.2<n<SB>2 </SB>-n<SB>1 </SB>であることを特徴とする半導体レ-ザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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