特許
J-GLOBAL ID：200903068101890855
II-VI族化合物半導体の選択成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305364
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148440
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 ZnSe等のII-VI族化合物半導体を有機金属気相成長法により成長を行う選択成長方法において、基板温度が450°C以下の低温で、かつ反応管圧力が大気圧でも成長可能であり、得られた選択成長層が平坦で、しかも基板へのII-VI族化合物構成元素の拡散が生じない上記選択成長方法を提供すること。【構成】 VI族原料とII族原料の原料供給比(VI/II比)を8以上とすること。1例を挙げると、II族原料としてジメチル亜鉛(DMZn)を、VI族原料としてジメチルセレン(DMSe)を用い、VI/II比=10とする。これにより基板温度を450°C以下に設定でき、反応管11の圧力を大気圧(760Torr)とすることがでる。反応管11の圧力を大気圧とする等でリッチ成長が生じ難く、得られたZnSe選択成長層が平坦である。また、成長温度が低く、VI/II比が大であることから、基板へのZnの拡散が生じない。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長を用い、半導体結晶表面が露出した部分にのみ選択的にII-VI族化合物半導体の成長を行なう選択成長方法において、前記II-VI族化合物半導体の成長時のVI族原料とII族原料の原料供給比(VI/II比)が8以上であることを特徴とするII-VI族化合物半導体の選択成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
, H01L 21/365
, H01L 29/22
