特許

J-GLOBAL ID：200903068104427684

圧電薄膜素子とその製造方法

発明者： 山田 朗 ,  前田 智佐子 ,  宮下 章志 ,  三須 幸一郎 ,  野崎 歩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-148997
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344280
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 損失が小さく、素子特性のばらつきの少ない、共振周波数の微調整が可能な圧電薄膜素子及びその製造方法の提供する。【解決手段】 圧電体膜に電界を加えて振動させる圧電薄膜素子が、基板の裏面から基板を除去して圧電体膜の下方の支持膜の裏面を露出させた凹部を含み、凹部内に露出した支持膜の膜厚を減じて圧電薄膜素子の共振周波数を調整する。

請求項（抜粋）：

圧電体膜に電界を加えて振動させる圧電薄膜素子であって、表面と裏面とを備えた基板と、該基板の表面上に設けられた支持膜と、該支持膜上に順次設けられた下部電極、圧電体膜及び上部電極と、該基板の裏面から該基板を除去し、該圧電体膜の下方の該支持膜の裏面を露出させた凹部とを含み、圧電薄膜素子の共振周波数が所望の周波数となるように、該凹部内に露出した該支持膜の膜厚が減じられたことを特徴とする圧電薄膜素子。

IPC (6件)：

H03H 9/17 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/04 ,  H03H 9/02

FI (6件)：

H03H 9/17 F ,  H03H 3/04 B ,  H03H 9/02 M ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z

Fターム (9件)：

5J108BB04 ,  5J108CC04 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108FF01 ,  5J108FF11 ,  5J108GG03 ,  5J108KK05 ,  5J108MM04