特許
J-GLOBAL ID：200903068105182332
多層セラミック基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134311
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350254
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】寸法精度が非常に高く、かつ脱バインダ性,生産性の向上、製造コストの低減を実現する多層セラミック基板の製造方法を提供する。【構成】多層セラミック構造体の外表面に加圧力を加えながら焼成する際、加圧力を媒介する通気性の材料の熱膨張係数と多層セラミック基板の熱膨張係数の差を、多層セラミック基板を構成するセラミック絶縁層に含まれるガラスの転移温度域以下の温度、またはセラミック絶縁層及び導体層からなる多層セラミック基板の見かけのガラス転移温度域以下の温度で3×10~6/°C以下とすること、通気性材料の基板受圧面の端からの張り出しが10mm以下であること、および通気性材料の厚さが多層セラミック構造体の厚さより厚いことを特徴とする。【効果】多層セラミック基板の寸法精度を従来以上に向上でき、更に基板の脱バインダ性を大幅に向上できる。更に加圧力を媒介する通気性の材料の割れを防止できるので製造コストを低減できる。
請求項（抜粋）：
多層セラミック構造体の外表面に加圧力を加えながら焼成する際、通気性の材料を介して加圧することにより加圧した面の焼成収縮を抑制する、ガラス成分を含むセラミック絶縁層及び導体層からなる多層セラミック基板の製造方法において、前記通気性の材料と多層セラミック基板の熱膨張係数差が前記セラミック絶縁層に含まれるガラスの転移温度域以下の温度で3×10~6/°C以下であることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, C04B 35/64
, C04B 37/00
